TSM089N08LCR RLG
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| Teilenummer | TSM089N08LCR RLG |
| PNEDA Teilenummer | TSM089N08LCR-RLG |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.208 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 25 - Mär 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TSM089N08LCR RLG Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TSM089N08LCR RLG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TSM089N08LCR RLG Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 67A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6119pF @ 40V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 83W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-PDFN (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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