Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

TSM036N03PQ56 RLG

TSM036N03PQ56 RLG

Nur als Referenz

Teilenummer TSM036N03PQ56 RLG
PNEDA Teilenummer TSM036N03PQ56-RLG
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 22.446
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 21 - Feb 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TSM036N03PQ56 RLG Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTSM036N03PQ56 RLG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • TSM036N03PQ56 RLG Datasheet
  • where to find TSM036N03PQ56 RLG
  • Taiwan Semiconductor Corporation

  • Taiwan Semiconductor Corporation TSM036N03PQ56 RLG
  • TSM036N03PQ56 RLG PDF Datasheet
  • TSM036N03PQ56 RLG Stock

  • TSM036N03PQ56 RLG Pinout
  • Datasheet TSM036N03PQ56 RLG
  • TSM036N03PQ56 RLG Supplier

  • Taiwan Semiconductor Corporation Distributor
  • TSM036N03PQ56 RLG Price
  • TSM036N03PQ56 RLG Distributor

TSM036N03PQ56 RLG Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.124A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2530pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)83W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-PDFN (5x6)
Paket / Fall8-PowerTDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

2SK3813-AZ

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta), 84W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251 (MP-3)

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

STS17NF3LL

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±18V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2160pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SIHB21N60EF-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

176mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2030pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

227W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SPD30N03S2L07T

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 85µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2530pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

APT20M120JCU2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

672mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7736pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

543W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Kürzlich verkauft

NTR4171PT1G

NTR4171PT1G

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23

PESD12VS1UB,115

PESD12VS1UB,115

Nexperia

TVS DIODE 12V 35V SOD523

AT25M01-SSHM-T

AT25M01-SSHM-T

Microchip Technology

IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIC

CY90F543GPF-GE1

CY90F543GPF-GE1

Cypress Semiconductor

IC MCU 16BIT 128KB FLASH 100QFP

PDS760-13

PDS760-13

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 7A POWERDI5

LSM9DS1TR

LSM9DS1TR

STMicroelectronics

IMU ACCEL/GYRO/MAG I2C/SPI 24LGA

5M2210ZF256I5

5M2210ZF256I5

Intel

IC CPLD 1700MC 7NS 256FBGA

ATMEGA328P-15AZ

ATMEGA328P-15AZ

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 32TQFP

CDBHD1100L-G

CDBHD1100L-G

Comchip Technology

BRIDGE RECT 1P 100V 1A MINI-DIP

PI3L301DAEX

PI3L301DAEX

Diodes Incorporated

IC MUX/DEMUX 2:1 8 OHM 48TSSOP

VLCF5020T-220MR75-1

VLCF5020T-220MR75-1

TDK

FIXED IND 22UH 750MA 496 MOHM

UC3842BN

UC3842BN

ON Semiconductor

IC REG CTRLR BST FLYBK ISO 8-DIP