TRS8E65C,S1Q
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| Teilenummer | TRS8E65C,S1Q |
| PNEDA Teilenummer | TRS8E65C-S1Q |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.910 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TRS8E65C Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TRS8E65C,S1Q |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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TRS8E65C Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 650V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 90µA @ 650V |
| Kapazität @ Vr, F. | 44pF @ 650V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-2L |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 175°C (Max) |
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