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TPC8134,LQ(S

TPC8134,LQ(S

Nur als Referenz

Teilenummer TPC8134,LQ(S
PNEDA Teilenummer TPC8134-LQ-S
Beschreibung MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 4.716
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TPC8134 Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTPC8134,LQ(S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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TPC8134 Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
SerieU-MOSVI
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Vgs (Max)+20V, -25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds890pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1W (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SOP
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.9nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

96W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IRFU3706

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

88W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

IPAK (TO-251)

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRL3303LPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 68W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

830W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264AA (IXFK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

FDP18N50

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

265mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2860pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

235W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

4608X-102-332LF

4608X-102-332LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 3.3K OHM 8SIP

CM453232-3R3KL

CM453232-3R3KL

Bourns

FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

NL453232T-102J-PF

NL453232T-102J-PF

TDK

FIXED IND 1MH 30MA 40 OHM SMD

7447709680

7447709680

Wurth Electronics

FIXED IND 68UH 3.2A 89 MOHM SMD

ILHB0805ER601V

ILHB0805ER601V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 600 OHM 0805 1LN

BLM18AG601SN1D

BLM18AG601SN1D

Murata

FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN

ECMF02-4CMX8

ECMF02-4CMX8

STMicroelectronics

COMMON MODE CHOKE 2LN SMD ESD

ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T

Abracon

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

TZB4R500AB10R00

TZB4R500AB10R00

Murata

CAP TRIMMER 7-50PF 50V SMD

PHV-5R4V155-R

PHV-5R4V155-R

Eaton - Electronics Division

CAP 1.5F -10% +30% 5.4V T/H

C0805C334J4RACTU

C0805C334J4RACTU

KEMET

CAP CER 0.33UF 16V X7R 0805

749196321

749196321

Wurth Electronics

TRANSFORMER 14.2UH .97A SMD