TK7A90E,S4X
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| Teilenummer | TK7A90E,S4X |
| PNEDA Teilenummer | TK7A90E-S4X |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 900V TO220SIS |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.460 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TK7A90E Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TK7A90E,S4X |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TK7A90E Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | π-MOSVIII |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 45W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220SIS |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.3A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1932pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I-PAK Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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