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TK10S04K3L(T6L1,NQ

TK10S04K3L(T6L1,NQ

Nur als Referenz

Teilenummer TK10S04K3L(T6L1,NQ
PNEDA Teilenummer TK10S04K3L-T6L1-NQ
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 5.436
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TK10S04K3L(T6L1 Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTK10S04K3L(T6L1,NQ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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TK10S04K3L(T6L1 Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
SerieU-MOSIV
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds410pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)25W (Tc)
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK+
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHT™ HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

74A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

107nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PLUS-220SMD

Paket / Fall

PLUS-220SMD

BUK7M20-40HX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.2nC @ 10V

Vgs (Max)

+20V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

598pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

38W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK33

Paket / Fall

SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)

SI2372DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta), 5.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

288pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

960mW (Ta), 1.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

TSM8N50CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1595pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

89W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF7807D2TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

74HC74A

74HC74A

MICROSS/On Semiconductor

IC FF D-TYPE DUAL DIE

XC6204B252MR-G

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Torex Semiconductor Ltd

IC REG LINEAR 2.5V 150MA SOT25

MAX1111CPE+

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Maxim Integrated

IC ADC 8BIT SAR 16DIP

DF10S-T

DF10S-T

Diodes Incorporated

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S

FDS4935BZ

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ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC

DG9414DQ-T1-E3

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Vishay Siliconix

IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 10MSOP

NPT1012B

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M/A-Com Technology Solutions

HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ

ASFL1-12.000MHZ-EK-T

ASFL1-12.000MHZ-EK-T

Abracon

XTAL OSC XO 12.0000MHZ HCMOS TTL

ADUC7026BSTZ62-RL

ADUC7026BSTZ62-RL

Analog Devices

IC MCU 32BIT 62KB FLASH 80LQFP

NLC453232T-150K-PF

NLC453232T-150K-PF

TDK

FIXED IND 15UH 450MA 700 MOHM

MAX3232CSE+T

MAX3232CSE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

LT1965EDD#PBF

LT1965EDD#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1.1A 8DFN