THGBMJG7C1LBAIL
Nur als Referenz
| Teilenummer | THGBMJG7C1LBAIL |
| PNEDA Teilenummer | THGBMJG7C1LBAIL |
| Beschreibung | 16GB V5.1 EMMC |
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 97 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 22 - Feb 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
THGBMJG7C1LBAIL Ressourcen
| Marke | Toshiba Memory America, Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | THGBMJG7C1LBAIL |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- THGBMJG7C1LBAIL Datasheet
- where to find THGBMJG7C1LBAIL
- Toshiba Memory America, Inc.
- Toshiba Memory America, Inc. THGBMJG7C1LBAIL
- THGBMJG7C1LBAIL PDF Datasheet
- THGBMJG7C1LBAIL Stock
- THGBMJG7C1LBAIL Pinout
- Datasheet THGBMJG7C1LBAIL
- THGBMJG7C1LBAIL Supplier
- Toshiba Memory America, Inc. Distributor
- THGBMJG7C1LBAIL Price
- THGBMJG7C1LBAIL Distributor
THGBMJG7C1LBAIL Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Serie | e•MMC™ |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 128Gb (16G x 8) |
| Speicherschnittstelle | eMMC |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | - |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 153-WFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 153-FBGA (11.5x13) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 3ms Zugriffszeit 300ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TC) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 24-DIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 24-PDIP |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie GL-N Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 110ns Zugriffszeit 110ns Spannung - Versorgung 1.65V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 64-LBGA Lieferantengerätepaket 64-FBGA (13x11) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-LFBGA Lieferantengerätepaket 48-FBGA (7x7) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 2MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 512Kb (64K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 10MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP-J |
