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TA20081803DH

TA20081803DH

Nur als Referenz

Teilenummer TA20081803DH
PNEDA Teilenummer TA20081803DH
Beschreibung SCR PHASE CTRL 800V 1800A
Hersteller Powerex Inc.
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TA20081803DH Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTA20081803DH
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
TA20081803DH, TA20081803DH Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 1.587,96 KB)
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TA20081803DH Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand800V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)1800A
Current - On State (It (RMS)) (max.)2820A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)4.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)200mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)36500A, 40000A
Current - Hold (Ih) (Max)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTO-200AE Variation

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

5.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

4120A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

4680A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

82000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200AF

IRKT57/10A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

60A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

135A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1310A, 1370A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

T9G0081203DH

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

1200A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1880A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

24650A, 27000A

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200 Variation

TZ425N14KOFHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

510A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

800A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

14500A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

TT104N12KOFAHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Common Anode - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

104A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

160A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.4V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

120mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2050A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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