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T860N30TOFVTXPSA1

T860N30TOFVTXPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer T860N30TOFVTXPSA1
PNEDA Teilenummer T860N30TOFVTXPSA1
Beschreibung SCR MODULE 3600V 2000A DO200AC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.886
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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T860N30TOFVTXPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerT860N30TOFVTXPSA1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
T860N30TOFVTXPSA1, T860N30TOFVTXPSA1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 293,16 KB)
PDFT860N32TOFVTXPSA1 Datenblatt Cover
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T860N30TOFVTXPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand3.6kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)860A
Current - On State (It (RMS)) (max.)2000A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)250mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)18000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max)500mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDO-200AC, K-PUK

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Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

250A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

393A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

8800A @ 60Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

700A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1550A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

4.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

63000A, 69000A

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Sensata-Crydom

Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 2)

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs, 2 Diodes

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

50mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

300A @ 60Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

75mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

GA040TH65-227SP

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

6.5kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

40A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

69A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

30mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

780mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

T2001N36TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

3.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

2890A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

3200A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

44000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

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