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T640N12TOFXPSA1

T640N12TOFXPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer T640N12TOFXPSA1
PNEDA Teilenummer T640N12TOFXPSA1
Beschreibung SCR MODULE 1800V 1250A DO200AA
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.586
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T640N12TOFXPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerT640N12TOFXPSA1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module

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T640N12TOFXPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand1.8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)644A
Current - On State (It (RMS)) (max.)1250A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.2V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)250mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)9400A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max)300mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDO-200AA, A-PUK

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Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Common Cathode - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

3 SCRs

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

28A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

43A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

550A, 600A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

PD470607

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

600V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

700A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1100A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

4.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

63000A, 69000A

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

POW-R-BLOK™ Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes

Anzahl der SCRs, Dioden

3 SCRs, 3 Diodes

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

21A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

16A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

65mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

300A, 320A

Current - Hold (Ih) (Max)

100mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

KAMM

T2851N48TOHXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

5.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

4120A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

4860A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

82000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

VS-VSKV71/06

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Common Anode - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

600V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

75A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

115A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1300A, 1360A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

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