STW36NM60N
Nur als Referenz
| Teilenummer | STW36NM60N |
| PNEDA Teilenummer | STW36NM60N |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.228 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STW36NM60N Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STW36NM60N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STW36NM60N Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ II |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 29A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 14.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83.6nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2722pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 210W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 21A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1683pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall 8-PowerWDFN |
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