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STW20NB50

STW20NB50

Nur als Referenz

Teilenummer STW20NB50
PNEDA Teilenummer STW20NB50
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 5.436
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STW20NB50 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTW20NB50
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STW20NB50, STW20NB50 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 282,58 KB)
PDFSTW20NB50 Datenblatt Cover
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STW20NB50 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4700pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)250W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

102A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5220pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

455W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

IPB055N03LGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3200pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

68W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTH12N100

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

MegaMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05Ohm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXTH)

Paket / Fall

TO-247-3

DN3545N3-G

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

450V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

136mA

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20Ohm @ 150mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V

FET-Funktion

Depletion Mode

Verlustleistung (max.)

740mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92 (TO-226)

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

FCU7N60TU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Kürzlich verkauft

B41458B8229M000

B41458B8229M000

TDK-EPCOS

CAP ALUM 22000UF 20% 63V SCREW

LAN8710AI-EZK

LAN8710AI-EZK

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 32QFN

IPA60R360P7SXKSA1

IPA60R360P7SXKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220

MMBD4148

MMBD4148

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

DF10S-T

DF10S-T

Diodes Incorporated

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S

BLM18PG121SN1D

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Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

CAT4139TD-GT3

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ON Semiconductor

IC LED DRIVER RGLTR DIM TSOT23-5

PI6C49X0204CWIE

PI6C49X0204CWIE

Diodes Incorporated

IC CLOCK BUFFER 1:4 200MHZ 8SOIC

SMAZ18-13-F

SMAZ18-13-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 18V 1W SMA

S25FL256SAGBHIA00

S25FL256SAGBHIA00

Cypress Semiconductor

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA

AD9528BCPZ

AD9528BCPZ

Analog Devices

IC CLOCK GEN 1.25GHZ VCO 72LFCSP

HDT0001

HDT0001

C&K

SWITCH DETECTOR SPST-NO 1MA 5V