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STU5N95K3

STU5N95K3

Nur als Referenz

Teilenummer STU5N95K3
PNEDA Teilenummer STU5N95K3
Beschreibung MOSFET N-CH 950V 4A IPAK
Hersteller STMicroelectronics
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STU5N95K3 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTU5N95K3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STU5N95K3, STU5N95K3 Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 1.408,49 KB)
PDFSTP5N95K3 Datenblatt Cover
STP5N95K3 Datenblatt Seite 2 STP5N95K3 Datenblatt Seite 3 STP5N95K3 Datenblatt Seite 4 STP5N95K3 Datenblatt Seite 5 STP5N95K3 Datenblatt Seite 6 STP5N95K3 Datenblatt Seite 7 STP5N95K3 Datenblatt Seite 8 STP5N95K3 Datenblatt Seite 9 STP5N95K3 Datenblatt Seite 10 STP5N95K3 Datenblatt Seite 11

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STU5N95K3 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSuperMESH3™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)950V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)90W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

185nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IRLML5103TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

760mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

540mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Micro3™/SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DMP3065LVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

587pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

FDMS7556S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Ta), 49A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

133nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8965pF @ 13V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 96W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

SPP20N60C3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 13.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

114nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

208W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

1N5335BRLG

1N5335BRLG

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL

ELXY500ETC560MF15D

ELXY500ETC560MF15D

United Chemi-Con

CAP ALUM 56UF 20% 50V RADIAL

PESD12VS1UB,115

PESD12VS1UB,115

Nexperia

TVS DIODE 12V 35V SOD523

LBM2016T330J

LBM2016T330J

Taiyo Yuden

FIXED IND 33UH 125MA 3.6 OHM SMD

TLJT107M010R0900

TLJT107M010R0900

CAP TANT 100UF 20% 10V 1411

M29W200BB70N1

M29W200BB70N1

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP

ADF4351BCPZ

ADF4351BCPZ

Analog Devices

IC SYNTH PLL VCO 32LFCSP

OD-850FHT

OD-850FHT

Opto Diode Corp

EMITTER IR 850NM 100MA TO-46

FMR0H104ZF

FMR0H104ZF

KEMET

CAPACITOR 0.1F 5.5V RADIAL

SF-1206F700-2

SF-1206F700-2

Bourns

FUSE BOARD MOUNT 7A 24VDC 1206

MAX1686HEUA+T

MAX1686HEUA+T

Maxim Integrated

IC REG CHARG PUMP SIM 1OUT 8UMAX

NC7SV74K8X

NC7SV74K8X

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 1BIT US8