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STTH1202DI

STTH1202DI

Nur als Referenz

Teilenummer STTH1202DI
PNEDA Teilenummer STTH1202DI
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 12A TO220AC
Hersteller STMicroelectronics
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STTH1202DI Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTTH1202DI
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
STTH1202DI, STTH1202DI Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 100,24 KB)
PDFSTTH1202FP Datenblatt Cover
STTH1202FP Datenblatt Seite 2 STTH1202FP Datenblatt Seite 3 STTH1202FP Datenblatt Seite 4 STTH1202FP Datenblatt Seite 5 STTH1202FP Datenblatt Seite 6 STTH1202FP Datenblatt Seite 7 STTH1202FP Datenblatt Seite 8 STTH1202FP Datenblatt Seite 9 STTH1202FP Datenblatt Seite 10

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STTH1202DI Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)12A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 12A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2 Insulated, TO-220AC
LieferantengerätepaketTO-220AC ins
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (3.3x3.3)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

MA3X19900L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

3pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

Mini3-G1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

S3J-M3/9AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

S5JB R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

ISL9R8120S3ST

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Stealth™

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.3V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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