STS3P6F6
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| Teilenummer | STS3P6F6 |
| PNEDA Teilenummer | STS3P6F6 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STS3P6F6 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STS3P6F6 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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STS3P6F6 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 48V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.7W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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