STS2DPFS20V
Nur als Referenz
Teilenummer | STS2DPFS20V |
PNEDA Teilenummer | STS2DPFS20V |
Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC |
Hersteller | STMicroelectronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.316 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
STS2DPFS20V Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | STS2DPFS20V |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- STS2DPFS20V Datasheet
- where to find STS2DPFS20V
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STS2DPFS20V
- STS2DPFS20V PDF Datasheet
- STS2DPFS20V Stock
- STS2DPFS20V Pinout
- Datasheet STS2DPFS20V
- STS2DPFS20V Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STS2DPFS20V Price
- STS2DPFS20V Distributor
STS2DPFS20V Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | STripFET™ II |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 15V |
FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
Verlustleistung (max.) | 2W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.15A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 108mOhm @ 1.15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1220pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A (Ta), 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 180A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10700pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 480W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227 Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1Ohm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 20W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TP Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |