Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STP20NM50FP

STP20NM50FP

Nur als Referenz

Teilenummer STP20NM50FP
PNEDA Teilenummer STP20NM50FP
Beschreibung MOSFET N-CH 550V 20A TO-220FP
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.714
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 11 - Apr 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STP20NM50FP Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTP20NM50FP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STP20NM50FP, STP20NM50FP Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 315,3 KB)
PDFSTP20NM50FP Datenblatt Cover
STP20NM50FP Datenblatt Seite 2 STP20NM50FP Datenblatt Seite 3 STP20NM50FP Datenblatt Seite 4 STP20NM50FP Datenblatt Seite 5 STP20NM50FP Datenblatt Seite 6 STP20NM50FP Datenblatt Seite 7 STP20NM50FP Datenblatt Seite 8 STP20NM50FP Datenblatt Seite 9 STP20NM50FP Datenblatt Seite 10 STP20NM50FP Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STP20NM50FP Datasheet
  • where to find STP20NM50FP
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STP20NM50FP
  • STP20NM50FP PDF Datasheet
  • STP20NM50FP Stock

  • STP20NM50FP Pinout
  • Datasheet STP20NM50FP
  • STP20NM50FP Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STP20NM50FP Price
  • STP20NM50FP Distributor

STP20NM50FP Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)550V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1480pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)45W (Tc)
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220FP
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXFJ20N85X

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

850V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1660pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISO TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

RF4E100AJTCR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.4mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1460pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

HUML2020L8

Paket / Fall

8-PowerUDFN

APT84F50L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

84A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 42A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

340nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1135W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264 [L]

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

VP1008B

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

790mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.25W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-39

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

FDZ3N513ZT

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

462mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V

Vgs (Max)

+5.5V, -0.3V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

85pF @ 15V

FET-Funktion

Schottky Diode (Body)

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

4-WLCSP (0.96x0.96)

Paket / Fall

4-UFBGA, WLCSP

Kürzlich verkauft

ATMEGA128-16AU

ATMEGA128-16AU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 128KB FLASH 64TQFP

ATTINY816-MN

ATTINY816-MN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20QFN

LTC4417IUF#PBF

LTC4417IUF#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OR CTRLR SRC SELECT 24QFN

ADUM7641CRQZ

ADUM7641CRQZ

Analog Devices

DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 20QSOP

MBRS340T3G

MBRS340T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 4A SMC

STM8AL3LE88TCY

STM8AL3LE88TCY

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48LQFP

AT25M01-SSHM-T

AT25M01-SSHM-T

Microchip Technology

IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIC

FIN1019MTCX

FIN1019MTCX

ON Semiconductor

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14TSSOP

ADG506AKR

ADG506AKR

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 16X1 28SOIC

STW20NK50Z

STW20NK50Z

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 500V 17A TO-247

NAU7802SGI

NAU7802SGI

Nuvoton Technology

IC ADC 24BIT SIGMA-DELTA 16SOP

749022015

749022015

Wurth Electronics

TRANSFORMER LAN 10/100/1000 SMD