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STP11NM60A

STP11NM60A

Nur als Referenz

Teilenummer STP11NM60A
PNEDA Teilenummer STP11NM60A
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.894
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 22 - Feb 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STP11NM60A Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTP11NM60A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STP11NM60A, STP11NM60A Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 249,06 KB)
PDFSTP11NM60A Datenblatt Cover
STP11NM60A Datenblatt Seite 2 STP11NM60A Datenblatt Seite 3 STP11NM60A Datenblatt Seite 4 STP11NM60A Datenblatt Seite 5 STP11NM60A Datenblatt Seite 6 STP11NM60A Datenblatt Seite 7 STP11NM60A Datenblatt Seite 8 STP11NM60A Datenblatt Seite 9 STP11NM60A Datenblatt Seite 10 STP11NM60A Datenblatt Seite 11

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STP11NM60A Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1211pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)110W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

SI7384DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

AON6718L_101

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SRFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta), 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4463pF @ 15V

FET-Funktion

Schottky Diode (Body)

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

Paket / Fall

8-DFN

FDMC3020DC

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Dual Cool™, PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Ta), 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.25mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1385pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Dual Cool ™ 33

Paket / Fall

8-PowerTDFN

SI1069X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

184mOhm @ 940mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.86nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

308pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

236mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-89-6

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Kürzlich verkauft

BLM41PG102SN1L

BLM41PG102SN1L

Murata

FERRITE BEAD 1 KOHM 1806 1LN

HSMS-282L-TR1

HSMS-282L-TR1

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363

B39162B4300F210

B39162B4300F210

Qualcomm

FILTER SAW 1.575GHZ 5SMD

IHLP2525CZERR22M01

IHLP2525CZERR22M01

Vishay Dale

FIXED IND 220NH 23A 2.8 MOHM SMD

CS325S25000000ABJT

CS325S25000000ABJT

Citizen Finedevice

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

FM24W256-GTR

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Cypress Semiconductor

IC FRAM 256K I2C 1MHZ 8SOIC

RK7002BMT116

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3

IS42S16160J-6BLI

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

4610X-101-102LF

4610X-101-102LF

Bourns

RES ARRAY 9 RES 1K OHM 10SIP

IS25LP032D-JNLE-TR

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP

1N4148W-7-F

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Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 100V 300MA SOD123

CM1213-08MR

CM1213-08MR

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 8.8V 10MSOP