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STL7N60M2

STL7N60M2

Nur als Referenz

Teilenummer STL7N60M2
PNEDA Teilenummer STL7N60M2
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT
Hersteller STMicroelectronics
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Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STL7N60M2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTL7N60M2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STL7N60M2, STL7N60M2 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 298,43 KB)
PDFSTL7N60M2 Datenblatt Cover
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STL7N60M2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.05Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds271pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)4W (Ta), 67W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerFLAT™ (5x5)
Paket / Fall8-PowerVDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FQH44N10-F133

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

48A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

180W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

FDJ129P_F077

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC75-6 FLMP

Paket / Fall

SC75-6 FLMP

IRFU12N25DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

810pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

144W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

IPAK (TO-251)

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NX7002BKHH

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

350mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

22.2pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

380mW (Ta), 2.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DFN0606-3 (SOT8001)

Paket / Fall

3-XFDFN

STB270N4F3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

330W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

MC74HC373ADWG

MC74HC373ADWG

ON Semiconductor

IC TRANSP LATCH OCT 3ST 20-SOIC

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SSC54-E3/57T

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DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB

WSL20108L000FEA

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RES 0.008 OHM 1% 1/2W 2010

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Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323

EVQ-PAC09K

EVQ-PAC09K

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SWITCH TACTILE SPST-NO 0.02A 15V

SC18IS600IBS,157

SC18IS600IBS,157

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IC I2C BUS INTERFACE 24-HVQFN

XC6SLX100-3CSG484I

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