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STL60N32N3LL

STL60N32N3LL

Nur als Referenz

Teilenummer STL60N32N3LL
PNEDA Teilenummer STL60N32N3LL
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.606
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STL60N32N3LL Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTL60N32N3LL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
STL60N32N3LL, STL60N32N3LL Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 1.420,52 KB)
PDFSTL60N32N3LL Datenblatt Cover
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STL60N32N3LL Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.32A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.2mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds950pF @ 25V
Leistung - max23W, 50W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPowerFlat™ (5x6)

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Rohm Semiconductor

Serie

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A, 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

572pF @ 25V

Leistung - max

27.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8W Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8W Dual

SI4804CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

865pF @ 15V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF7301TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 25V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

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