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STL105NS3LLH7

STL105NS3LLH7

Nur als Referenz

Teilenummer STL105NS3LLH7
PNEDA Teilenummer STL105NS3LLH7
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 3.762
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STL105NS3LLH7 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTL105NS3LLH7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STL105NS3LLH7, STL105NS3LLH7 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 243,51 KB)
PDFSTL105NS3LLH7 Datenblatt Cover
STL105NS3LLH7 Datenblatt Seite 2 STL105NS3LLH7 Datenblatt Seite 3 STL105NS3LLH7 Datenblatt Seite 4 STL105NS3LLH7 Datenblatt Seite 5 STL105NS3LLH7 Datenblatt Seite 6 STL105NS3LLH7 Datenblatt Seite 7 STL105NS3LLH7 Datenblatt Seite 8 STL105NS3LLH7 Datenblatt Seite 9 STL105NS3LLH7 Datenblatt Seite 10 STL105NS3LLH7 Datenblatt Seite 11

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STL105NS3LLH7 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieDeepGATE™, STripFET™ VII
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.105A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2110pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)62.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerFlat™ (5x6)
Paket / Fall8-PowerVDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

73A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2464pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

166W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STP24N60M6

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ M6

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

BUK7607-55B,118

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3760pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

203W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFPG30

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

980pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

FDMC6686P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta), 56A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13200pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta), 40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Kürzlich verkauft

FA-20H 12.0000MD30Z-K3

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CY62126EV30LL-45ZSXI

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Opto Diode Corp

EMITTER IR 850NM 100MA TO-46

IRAMX16UP60B-2

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Infineon Technologies

IC PWR HYBRID 600V 16A SIP2

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Abracon

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

MAX3078EESA+T

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Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

BSS138-7-F

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

FDS4935BZ

FDS4935BZ

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC

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Micron Technology Inc.

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IGBT 1200V 85A 320W TO247AC

ADP191ACBZ-R7

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