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STK17T88-RF25I

STK17T88-RF25I

Nur als Referenz

Teilenummer STK17T88-RF25I
PNEDA Teilenummer STK17T88-RF25I
Beschreibung IC NVSRAM 256K PARALLEL 48SSOP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 2.718
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 26 - Mai 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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STK17T88-RF25I Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTK17T88-RF25I
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
STK17T88-RF25I, STK17T88-RF25I Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 977,32 KB)
PDFSTK17T88-RF45I Datenblatt Cover
STK17T88-RF45I Datenblatt Seite 2 STK17T88-RF45I Datenblatt Seite 3 STK17T88-RF45I Datenblatt Seite 4 STK17T88-RF45I Datenblatt Seite 5 STK17T88-RF45I Datenblatt Seite 6 STK17T88-RF45I Datenblatt Seite 7 STK17T88-RF45I Datenblatt Seite 8 STK17T88-RF45I Datenblatt Seite 9 STK17T88-RF45I Datenblatt Seite 10 STK17T88-RF45I Datenblatt Seite 11

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STK17T88-RF25I Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket48-SSOP

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IDT71P72804S200BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.88ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

28-PDIP

MT53B1DBNP-DC

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

200-WFBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

1Gb (32M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

168-WFBGA

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168-WFBGA (12x12)

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