STGW40NC60V
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| Teilenummer | STGW40NC60V |
| PNEDA Teilenummer | STGW40NC60V |
| Beschreibung | IGBT 600V 80A 260W TO247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.868 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGW40NC60V Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW40NC60V |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW40NC60V Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 260W |
| Schaltenergie | 330µJ (on), 720µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 214nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 43ns/140ns |
| Testbedingung | 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 167W Schaltenergie 55µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 6ns/40ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 3A Leistung - max 30W Schaltenergie 57µJ (on), 25µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/60ns Testbedingung 300V, 3A, 80Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 52ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 290W Schaltenergie 1mJ (on), 520µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/126ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 36ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 230A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 302µJ (on), 349µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 126nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/168ns Testbedingung 390V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 45ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
