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STGDL6NC60DIT4

STGDL6NC60DIT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGDL6NC60DIT4
PNEDA Teilenummer STGDL6NC60DIT4
Beschreibung IGBT 600V 13A 50W DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGDL6NC60DIT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGDL6NC60DIT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGDL6NC60DIT4, STGDL6NC60DIT4 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 639,59 KB)
PDFSTGBL6NC60DIT4 Datenblatt Cover
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STGDL6NC60DIT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)13A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 3A
Leistung - max50W
Schaltenergie32µJ (on), 24µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge12nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.6.7ns/46ns
Testbedingung390V, 3A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)23ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

80µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/116ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

SKW15N120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 15A

Leistung - max

198W

Schaltenergie

1.9mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/580ns

Testbedingung

800V, 15A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

1.01mJ (on), 297µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19.2ns/65.6ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31.8ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

IRG4BC20KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

340µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/180ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

TIG111BF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Leistung - max

2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/175ns

Testbedingung

300V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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