STGDL6NC60DIT4
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Teilenummer | STGDL6NC60DIT4 |
PNEDA Teilenummer | STGDL6NC60DIT4 |
Beschreibung | IGBT 600V 13A 50W DPAK |
Hersteller | STMicroelectronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.616 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGDL6NC60DIT4 Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | STGDL6NC60DIT4 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
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STGDL6NC60DIT4 Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | PowerMESH™ |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 13A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 18A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 3A |
Leistung - max | 50W |
Schaltenergie | 32µJ (on), 24µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 12nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 6.7ns/46ns |
Testbedingung | 390V, 3A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 23ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lieferantengerätepaket | DPAK |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 32A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 9A Leistung - max 60W Schaltenergie 340µJ (on), 300µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 34nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 54ns/180ns Testbedingung 480V, 9A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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