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STF40NF20

STF40NF20

Nur als Referenz

Teilenummer STF40NF20
PNEDA Teilenummer STF40NF20
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 40A TO-220FP
Hersteller STMicroelectronics
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STF40NF20 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTF40NF20
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STF40NF20, STF40NF20 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 477,55 KB)
PDFSTB40NF20 Datenblatt Cover
STB40NF20 Datenblatt Seite 2 STB40NF20 Datenblatt Seite 3 STB40NF20 Datenblatt Seite 4 STB40NF20 Datenblatt Seite 5 STB40NF20 Datenblatt Seite 6 STB40NF20 Datenblatt Seite 7 STB40NF20 Datenblatt Seite 8 STB40NF20 Datenblatt Seite 9 STB40NF20 Datenblatt Seite 10 STB40NF20 Datenblatt Seite 11

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STF40NF20 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2500pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)40W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220FP
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF6614TR1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12.7A (Ta), 55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2560pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ ST

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric ST

IXTT12N140

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

106nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3720pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

890W (Tc)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

SIR870ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2866pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

AUIRF6218STRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

27A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2210pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

R5011FNX

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta), 5.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

520mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FM

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

FDS6675BZ

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ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

AD5254BRUZ1-RL7

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Analog Devices

IC DGTL POT 1KOHM 256TAP 20TSSOP

SMAJ5.0A

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TVS DIODE 5V 9.2V SMA

CDRH2D14NP-2R2NC

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Sumida

FIXED IND 2.2UH 1.6A 94 MOHM SMD

CY2309SXI-1H

CY2309SXI-1H

Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 9OUT 133MHZ 16SOIC

LTM4613IV#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 12V 8A

3403.0166.11

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Schurter

FUSE BOARD MNT 1A 250VAC 125VDC

ST1S40IPUR

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STMicroelectronics

IC REG BUCK ADJ 3A 8VFQFPN

EVQ-PAC09K

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Panasonic Electronic Components

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.02A 15V

REF195GS

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Analog Devices

IC VREF SERIES 5V 8SOIC

ARF444

ARF444

Microsemi

PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD

CDRH127NP-100MC

CDRH127NP-100MC

Sumida

FIXED IND 10UH 5.4A 21.6 MOHM