Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STE45NK80ZD

STE45NK80ZD

Nur als Referenz

Teilenummer STE45NK80ZD
PNEDA Teilenummer STE45NK80ZD
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.580
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 18 - Mär 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STE45NK80ZD Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTE45NK80ZD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STE45NK80ZD, STE45NK80ZD Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 317,84 KB)
PDFSTE45NK80ZD Datenblatt Cover
STE45NK80ZD Datenblatt Seite 2 STE45NK80ZD Datenblatt Seite 3 STE45NK80ZD Datenblatt Seite 4 STE45NK80ZD Datenblatt Seite 5 STE45NK80ZD Datenblatt Seite 6 STE45NK80ZD Datenblatt Seite 7 STE45NK80ZD Datenblatt Seite 8 STE45NK80ZD Datenblatt Seite 9 STE45NK80ZD Datenblatt Seite 10 STE45NK80ZD Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STE45NK80ZD Datasheet
  • where to find STE45NK80ZD
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STE45NK80ZD
  • STE45NK80ZD PDF Datasheet
  • STE45NK80ZD Stock

  • STE45NK80ZD Pinout
  • Datasheet STE45NK80ZD
  • STE45NK80ZD Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STE45NK80ZD Price
  • STE45NK80ZD Distributor

STE45NK80ZD Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSuperFREDmesh™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs781nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds26000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)600W (Tc)
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
LieferantengerätepaketISOTOP®
Paket / FallISOTOP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTD78N03-1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.4A (Ta), 78A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 78A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2250pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.4W (Ta), 64W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPA50R950CE

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950mOhm @ 1.2A, 13V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

231pF @ 100V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

25.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

STD25NF10LT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1710pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDD5612

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXFH13N80

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

155nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

ADG849YKSZ-REEL7

ADG849YKSZ-REEL7

Analog Devices

IC SWITCH SPDT SC70-6

NTR4171PT1G

NTR4171PT1G

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23

RCLAMP3654P.TCT

RCLAMP3654P.TCT

Semtech

TVS DIODE 5.5V 30V SLP1616P6

AD835ARZ

AD835ARZ

Analog Devices

IC MULTIPLIER 4-QUADRANT 8-SOIC

SP3010-04UTG

SP3010-04UTG

Littelfuse

TVS DIODE 6V 12.3V 10UDFN

DAN217UMTL

DAN217UMTL

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD3F

RCLAMP0502BATCT

RCLAMP0502BATCT

Semtech

TVS DIODE 5V 25V SC75

BAV70LT1G

BAV70LT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

CP2103-GMR

CP2103-GMR

Silicon Labs

IC CTRLR BRIDGE USB-UART 28MLP

0ZCJ0025AF2E

0ZCJ0025AF2E

Bel Fuse

PTC RESET FUSE 24V 250MA 1206

RT9193-33GB

RT9193-33GB

Richtek USA Inc.

IC REG LINEAR 3.3V 300MA SOT23-5

DG641DY

DG641DY

Vishay Siliconix

IC VIDEO SWITCH SPST 16SOIC