Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STE139N65M5

STE139N65M5

Nur als Referenz

Teilenummer STE139N65M5
PNEDA Teilenummer STE139N65M5
Beschreibung N-CHANNEL 650 V, 0.014 OHM TYP.,
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.662
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 9 - Mär 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STE139N65M5 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTE139N65M5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STE139N65M5, STE139N65M5 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.015,88 KB)
PDFSTE139N65M5 Datenblatt Cover
STE139N65M5 Datenblatt Seite 2 STE139N65M5 Datenblatt Seite 3 STE139N65M5 Datenblatt Seite 4 STE139N65M5 Datenblatt Seite 5 STE139N65M5 Datenblatt Seite 6 STE139N65M5 Datenblatt Seite 7 STE139N65M5 Datenblatt Seite 8 STE139N65M5 Datenblatt Seite 9 STE139N65M5 Datenblatt Seite 10 STE139N65M5 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STE139N65M5 Datasheet
  • where to find STE139N65M5
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STE139N65M5
  • STE139N65M5 PDF Datasheet
  • STE139N65M5 Stock

  • STE139N65M5 Pinout
  • Datasheet STE139N65M5
  • STE139N65M5 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STE139N65M5 Price
  • STE139N65M5 Distributor

STE139N65M5 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.130A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs363nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds15600pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)672W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
LieferantengerätepaketISOTOP
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

BSP170PE6327T

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

114nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6960pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

204W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

STL7NM60N

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

363pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

68W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

14-PowerFLAT™ (5x5)

Paket / Fall

14-PowerVQFN

IPU60R1K0CEAKMA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 130µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

61W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO251-3

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

SI4668DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1654pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

ILHB0805ER601V

ILHB0805ER601V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 600 OHM 0805 1LN

TEFT4300

TEFT4300

Vishay Semiconductor Opto Division

SENSOR PHOTO 925NM TOP VIEW RAD

NAND128W3A2BN6E

NAND128W3A2BN6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP

AT89C51-24AI

AT89C51-24AI

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 44TQFP

LT1764AEQ#PBF

LT1764AEQ#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 5DDPAK

ZUS252412

ZUS252412

Cosel

DC DC CONVERTER 12V

TMP36GT9Z

TMP36GT9Z

Analog Devices

SENSOR ANALOG -40C-125C TO92-3

VLP8040T-6R8M

VLP8040T-6R8M

TDK

FIXED IND 6.8UH 3.6A 32 MOHM SMD

FT232RL-REEL

FT232RL-REEL

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB FS SERIAL UART 28-SSOP

BTS4140NHUMA1

BTS4140NHUMA1

Infineon Technologies

IC PWR SWITCH 62V HISID SOT223-4

NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363

SHT30-ARP-B

SHT30-ARP-B

Sensirion AG

SENSOR HUMID/TEMP 5V ANLG 3% SMD