Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STD5NM60-1

STD5NM60-1

Nur als Referenz

Teilenummer STD5NM60-1
PNEDA Teilenummer STD5NM60-1
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 30.000
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 24 - Apr 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STD5NM60-1 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTD5NM60-1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STD5NM60-1, STD5NM60-1 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 554,5 KB)
PDFSTP8NM60FP Datenblatt Cover
STP8NM60FP Datenblatt Seite 2 STP8NM60FP Datenblatt Seite 3 STP8NM60FP Datenblatt Seite 4 STP8NM60FP Datenblatt Seite 5 STP8NM60FP Datenblatt Seite 6 STP8NM60FP Datenblatt Seite 7 STP8NM60FP Datenblatt Seite 8 STP8NM60FP Datenblatt Seite 9 STP8NM60FP Datenblatt Seite 10 STP8NM60FP Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STD5NM60-1 Datasheet
  • where to find STD5NM60-1
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STD5NM60-1
  • STD5NM60-1 PDF Datasheet
  • STD5NM60-1 Stock

  • STD5NM60-1 Pinout
  • Datasheet STD5NM60-1
  • STD5NM60-1 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STD5NM60-1 Price
  • STD5NM60-1 Distributor

STD5NM60-1 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)96W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT42F50B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6810pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Paket / Fall

TO-247-3

IRF840LCLPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

NVMFS5C612NLWFAFT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A (Ta), 250A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.36mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6660pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 167W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

803pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

59W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

IRFR9120NPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

ES1B-E3/61T

ES1B-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

IRFR5305PBF

IRFR5305PBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

AD5664ARMZ

AD5664ARMZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT V-OUT 10MSOP

170M3618

170M3618

Eaton - Bussmann Electrical Division

FUSE SQUARE 350A 700VAC RECT

TC4426AEOA

TC4426AEOA

Microchip Technology

IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC

MT8870DSR1

MT8870DSR1

Microchip Technology

IC RECEIVER DTMF 18SOIC

AS5040-ASST

AS5040-ASST

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC 512PPR

AOZ1284PI

AOZ1284PI

Alpha & Omega Semiconductor

IC REG BUCK ADJUSTABLE 4A 8SO

BNX026H01L

BNX026H01L

Murata

FILTER LC 10UF SMD

NFM41CC223R2A3L

NFM41CC223R2A3L

Murata

CAP FEEDTHRU 0.022UF 100V 1806

2920L075DR

2920L075DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 30V 750MA 2920

BTS436L2G

BTS436L2G

Infineon Technologies

IC HIGH SIDE PWR SWITCH D2PAK-5