START499ETR
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| Teilenummer | START499ETR |
| PNEDA Teilenummer | START499ETR |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.5V 1.9GHZ SOT343 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.580 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 22 - Feb 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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START499ETR Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | START499ETR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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START499ETR Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.5V |
| Frequenz - Übergang | 1.9GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.3dB @ 1.8GHz |
| Gewinn | 15dB |
| Leistung - max | 600mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 160mA, 4V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 600mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-343 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn 21dB Leistung - max 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket SOT-343 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB ~ 5dB @ 800MHz Gewinn - Leistung - max 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Frequenz - Übergang 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9.5dB Leistung - max 5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55BT Lieferantengerätepaket 55BT |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz Gewinn 12.5dB ~ 14.5dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 2.7V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
