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SST26VF032BEUI-104I/SM

SST26VF032BEUI-104I/SM

Nur als Referenz

Teilenummer SST26VF032BEUI-104I/SM
PNEDA Teilenummer SST26VF032BEUI-104I-SM
Beschreibung 32MB 2.3V TO 3.6V SQI FLASH MEMO
Hersteller Microchip Technology
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SST26VF032BEUI-104I/SM Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSST26VF032BEUI-104I/SM
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
SST26VF032BEUI-104I/SM, SST26VF032BEUI-104I/SM Datenblatt (Total Pages: 76, Größe: 2.600,66 KB)
PDFSST26VF032BEUI-104I/SM Datenblatt Cover
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SST26VF032BEUI-104I/SM Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
SerieSST26 SQI®
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße32Mb (4M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI - Quad I/O
Taktfrequenz104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite1.5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIJ

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Speichertyp

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Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

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Paket / Fall

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