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SST25VF016B-75-4I-S2AF-T

SST25VF016B-75-4I-S2AF-T

Nur als Referenz

Teilenummer SST25VF016B-75-4I-S2AF-T
PNEDA Teilenummer SST25VF016B-75-4I-S2AF-T
Beschreibung IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8SOIC
Hersteller Microchip Technology
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SST25VF016B-75-4I-S2AF-T Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSST25VF016B-75-4I-S2AF-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
SST25VF016B-75-4I-S2AF-T, SST25VF016B-75-4I-S2AF-T Datenblatt (Total Pages: 32, Größe: 308,98 KB)
PDFSST25VF016B-75-4I-S2AF-T Datenblatt Cover
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SST25VF016B-75-4I-S2AF-T Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
SerieSST25
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße16Mb (2M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz80MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10µs
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-20°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MT41K512M16TNA-125 IT:E

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

8Gb (512M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

13.5ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-FBGA (10x14)

IDT71P71604S250BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6.3ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-CABGA (13x15)

25LC010A/S16K

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

MT53D384M64D4FL-046 XT:E

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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