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SSM6N42FE(TE85L,F)

SSM6N42FE(TE85L,F)

Nur als Referenz

Teilenummer SSM6N42FE(TE85L,F)
PNEDA Teilenummer SSM6N42FE-TE85L-F
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 5.112
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SSM6N42FE(TE85L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSM6N42FE(TE85L,F)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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SSM6N42FE(TE85L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds90pF @ 10V
Leistung - max150mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketES6 (1.6x1.6)

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta), 2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.6nC, 9.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

193pF, 450pF @ 20V

Leistung - max

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TSMT8

CSD88539ND

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

741pF @ 30V

Leistung - max

2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

CSD88537NDT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 30V

Leistung - max

2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

BSZ15DC02KDHXTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 110µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

419pF @ 10V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TSDSON-8-FL

CAS300M17BM2

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-Rec®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1700V (1.7kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

325A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 225A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1076nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20000pF @ 1000V

Leistung - max

1760W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

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