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SSM6N16FE,L3F

SSM6N16FE,L3F

Nur als Referenz

Teilenummer SSM6N16FE,L3F
PNEDA Teilenummer SSM6N16FE-L3F
Beschreibung SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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SSM6N16FE Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSM6N16FE,L3F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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SSM6N16FE Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds9.3pF @ 3V
Leistung - max150mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketES6

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A, 3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 10V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

ChipFET™

DMN4026SSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 20V

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 13V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric SA

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ SA

NVMFD5C462NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17.6A (Ta), 70A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 25V

Leistung - max

3.2W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

195pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

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