SSM3K35CTC,L3F
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| Teilenummer | SSM3K35CTC,L3F |
| PNEDA Teilenummer | SSM3K35CTC-L3F |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 0.18A |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 87.708 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM3K35CTC Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM3K35CTC,L3F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SSM3K35CTC Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIII |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 250mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.34nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | CST3C |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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