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SS36HE-TP

SS36HE-TP

Nur als Referenz

Teilenummer SS36HE-TP
PNEDA Teilenummer SS36HE-TP
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
Hersteller Micro Commercial Co
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SS36HE-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSS36HE-TP
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SS36HE-TP, SS36HE-TP Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 288,37 KB)
PDFSS36HE-TP Datenblatt Cover
SS36HE-TP Datenblatt Seite 2 SS36HE-TP Datenblatt Seite 3

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SS36HE-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)60V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If500mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr500µA @ 60V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-123H
LieferantengerätepaketSOD-123HE
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

6A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 6A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

120µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

219pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

RB550VYM-30FHTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

520mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10.7ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 10V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TUMD2M

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

VS-80SQ040TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

530mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AR, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AR

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

VS-35EPF12L-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

AS3PK-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

2.1A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 1.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

37pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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