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SS34-3HE3_B/H

SS34-3HE3_B/H

Nur als Referenz

Teilenummer SS34-3HE3_B/H
PNEDA Teilenummer SS34-3HE3_B-H
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.616
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SS34-3HE3_B/H Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSS34-3HE3_B/H
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SS34-3HE3_B/H, SS34-3HE3_B/H Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 90 KB)
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SS34-3HE3_B/H Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If500mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr500µA @ 40V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AB, SMC
LieferantengerätepaketDO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.76V @ 18.8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, E

Lieferantengerätepaket

D-5B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 155°C

MBR3100VP-E1

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AA, DO-27, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-27

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

SCS304AMC

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

4A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 4A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

200pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/279

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1500V

Current - Average Rectified (Io)

250mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

5V @ 250mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1500V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

S, Axial

Lieferantengerätepaket

S, Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

UGF5HTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 500V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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