SS210-M3/5BT
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| Teilenummer | SS210-M3/5BT |
| PNEDA Teilenummer | SS210-M3-5BT |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 1.5A 100V DO214AA |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.248 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SS210-M3/5BT Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SS210-M3/5BT |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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SS210-M3/5BT Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 30µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AA (SMB) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/429 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 300ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall A, Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 6A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 60µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 300pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 570mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2.7mA @ 35V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 3µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 8pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
