SQM60N06-15_GE3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SQM60N06-15_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQM60N06-15_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 56A TO263 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.402 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 5 - Mär 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SQM60N06-15_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | SQM60N06-15_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SQM60N06-15_GE3, SQM60N06-15_GE3 Datenblatt
(Total Pages: 10, Größe: 186,01 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SQM60N06-15_GE3 Datasheet
- where to find SQM60N06-15_GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SQM60N06-15_GE3
- SQM60N06-15_GE3 PDF Datasheet
- SQM60N06-15_GE3 Stock
- SQM60N06-15_GE3 Pinout
- Datasheet SQM60N06-15_GE3
- SQM60N06-15_GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SQM60N06-15_GE3 Price
- SQM60N06-15_GE3 Distributor
SQM60N06-15_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 56A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2480pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 107W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (D2Pak) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 136W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60.5A (Ta), 464A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.72mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11535pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 294.6W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-DFNW (8.3x8.4) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVIII-H FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta), 32W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.5nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 30W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.1nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1415pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
