Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SQJ912BEP-T1_GE3
PNEDA Teilenummer SQJ912BEP-T1_GE3
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 21.708
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SQJ912BEP-T1_GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSQJ912BEP-T1_GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SQJ912BEP-T1_GE3, SQJ912BEP-T1_GE3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 270,09 KB)
PDFSQJ912BEP-T1_GE3 Datenblatt Cover
SQJ912BEP-T1_GE3 Datenblatt Seite 2 SQJ912BEP-T1_GE3 Datenblatt Seite 3 SQJ912BEP-T1_GE3 Datenblatt Seite 4 SQJ912BEP-T1_GE3 Datenblatt Seite 5 SQJ912BEP-T1_GE3 Datenblatt Seite 6 SQJ912BEP-T1_GE3 Datenblatt Seite 7 SQJ912BEP-T1_GE3 Datenblatt Seite 8 SQJ912BEP-T1_GE3 Datenblatt Seite 9 SQJ912BEP-T1_GE3 Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SQJ912BEP-T1_GE3 Datasheet
  • where to find SQJ912BEP-T1_GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SQJ912BEP-T1_GE3
  • SQJ912BEP-T1_GE3 PDF Datasheet
  • SQJ912BEP-T1_GE3 Stock

  • SQJ912BEP-T1_GE3 Pinout
  • Datasheet SQJ912BEP-T1_GE3
  • SQJ912BEP-T1_GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SQJ912BEP-T1_GE3 Price
  • SQJ912BEP-T1_GE3 Distributor

SQJ912BEP-T1_GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3000pF @ 25V
Leistung - max48W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SO-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SO-8 Dual

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AO6602_DELTA

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta), 2.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V, 5.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 15V, 240pF @ 15V

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

SP8J5TB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

FDG6335N

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

700mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

113pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

DMN5L06DMKQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

305mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

400mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

APTM100A12STG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

68A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

616nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17400pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

Kürzlich verkauft

BLM21PG221SN1D

BLM21PG221SN1D

Murata

FERRITE BEAD 220 OHM 0805 1LN

MPC8306SVMADDCA

MPC8306SVMADDCA

NXP

IC MPU MPC83XX 266MHZ 369BGA

LT1935ES5#TRMPBF

LT1935ES5#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG MULTI CONFG ADJ TSOT23-5

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL FBGA

ADE7754ARZRL

ADE7754ARZRL

Analog Devices

IC ENERGY METERING 3PHASE 24SOIC

NFE31PT222Z1E9L

NFE31PT222Z1E9L

Murata

FILTER LC(T) 2200PF SMD

NOIP2SE1300A-QDI

NOIP2SE1300A-QDI

ON Semiconductor

IC IMAGE SENSOR 1.3MP 48LCC

CRM2512-JW-103ELF

CRM2512-JW-103ELF

Bourns

RES SMD 10K OHM 5% 2W 2512

BAV70

BAV70

Panasonic Electronic Components

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23-3

ST62T65CM6

ST62T65CM6

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 3.8KB OTP 28SOIC

89HP0604SBZBNRGI

89HP0604SBZBNRGI

IDT, Integrated Device Technology

IC REDRIVER SAS/SATA 36VFQFPN

HEF4538BT,653

HEF4538BT,653

Nexperia

IC MONO MULTIVBRTOR DUAL 16SOIC