SQJ260EP-T1_GE3
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| Teilenummer | SQJ260EP-T1_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQJ260EP-T1_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.788 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SQJ260EP-T1_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SQJ260EP-T1_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SQJ260EP-T1_GE3, SQJ260EP-T1_GE3 Datenblatt
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SQJ260EP-T1_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Tc), 54A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 40nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V |
| Leistung - max | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
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Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
