SQJ200EP-T1_GE3
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| Teilenummer | SQJ200EP-T1_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQJ200EP-T1_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.310 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SQJ200EP-T1_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SQJ200EP-T1_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SQJ200EP-T1_GE3, SQJ200EP-T1_GE3 Datenblatt
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SQJ200EP-T1_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A, 60A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 975pF @ 10V |
| Leistung - max | 27W, 48W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
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