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SQ4946AEY-T1_GE3

SQ4946AEY-T1_GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SQ4946AEY-T1_GE3
PNEDA Teilenummer SQ4946AEY-T1_GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 7A
Hersteller Vishay Siliconix
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SQ4946AEY-T1_GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSQ4946AEY-T1_GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SQ4946AEY-T1_GE3, SQ4946AEY-T1_GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 227,88 KB)
PDFSQ4946AEY-T1_GE3 Datenblatt Cover
SQ4946AEY-T1_GE3 Datenblatt Seite 2 SQ4946AEY-T1_GE3 Datenblatt Seite 3 SQ4946AEY-T1_GE3 Datenblatt Seite 4 SQ4946AEY-T1_GE3 Datenblatt Seite 5 SQ4946AEY-T1_GE3 Datenblatt Seite 6 SQ4946AEY-T1_GE3 Datenblatt Seite 7 SQ4946AEY-T1_GE3 Datenblatt Seite 8 SQ4946AEY-T1_GE3 Datenblatt Seite 9

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SQ4946AEY-T1_GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds750pF @ 25V
Leistung - max4W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

PG-DSO-8

DMC2057UVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

416pF @ 10V, 536pF @ 10V

Leistung - max

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

BSO150N03MDGXUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 15V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

PG-DSO-8

ECH8660-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-ECH

AO7600_001

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

900mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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