SPI80N06S2L-11

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Teilenummer | SPI80N06S2L-11 |
PNEDA Teilenummer | SPI80N06S2L-11 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.654 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SPI80N06S2L-11 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | SPI80N06S2L-11 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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SPI80N06S2L-11 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 93µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2650pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 158W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO262-3-1 |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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