SM8S11AHE3/2D
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| Teilenummer | SM8S11AHE3/2D |
| PNEDA Teilenummer | SM8S11AHE3-2D |
| Beschreibung | TVS DIODE 11V 18.2V DO218AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.274 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SM8S11AHE3/2D Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SM8S11AHE3/2D |
| Kategorie | Leistung › Schaltungsschutz › TVS - Dioden |
| Datenblatt |
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SM8S11AHE3/2D Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
| Typ | Zener |
| Unidirektionale Kanäle | 1 |
| Bidirektionale Kanäle | - |
| Spannung - Rückwärtsabstand (Typ) | 11V |
| Spannungsausfall (min) | 12.2V |
| Spannungsklemmung (max.) @ Ipp | 18.2V |
| Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 363A |
| Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
| Stromleitungsschutz | No |
| Anwendungen | Automotive |
| Kapazität @ Frequenz | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-218AB |
| Lieferantengerätepaket | DO-218AB |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500 Typ Zener Unidirektionale Kanäle 1 Bidirektionale Kanäle - Spannung - Rückwärtsabstand (Typ) 22V Spannungsausfall (min) 24.4V Spannungsklemmung (max.) @ Ipp 35.5V Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) 508A Leistung - Spitzenimpuls 18000W (18kW) Stromleitungsschutz No Anwendungen General Purpose Kapazität @ Frequenz - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Nonstandard SMD Lieferantengerätepaket PLAD |
