SIZ998DT-T1-GE3
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| Teilenummer | SIZ998DT-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIZ998DT-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 58.914 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 23 - Mär 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SIZ998DT-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIZ998DT-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SIZ998DT-T1-GE3, SIZ998DT-T1-GE3 Datenblatt
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SIZ998DT-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V |
| Leistung - max | 20.2W, 32.9W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-PowerPair® |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.5A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 15V Leistung - max 2.16W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (Type D) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 276mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5316pF @ 25V Leistung - max 208W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250mA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V Leistung - max 2.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.6A, 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.2mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 15V Leistung - max 1.4W, 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.6A, 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
