Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SISA12ADN-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SISA12ADN-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.014
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 24 - Mär 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SISA12ADN-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSISA12ADN-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SISA12ADN-T1-GE3, SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 584,84 KB)
PDFSISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Cover
SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SISA12ADN-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SISA12ADN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SISA12ADN-T1-GE3
  • SISA12ADN-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SISA12ADN-T1-GE3 Stock

  • SISA12ADN-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SISA12ADN-T1-GE3
  • SISA12ADN-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SISA12ADN-T1-GE3 Price
  • SISA12ADN-T1-GE3 Distributor

SISA12ADN-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Vgs (Max)+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2070pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerPAK® 1212-8
Paket / FallPowerPAK® 1212-8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDP20N50

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3120pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

DMT6006SPS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

AOT10T60L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1346pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

208W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

FDG313N_D87Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

950mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

750mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

IXFM67N10

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

67A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 33.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-204AE

Paket / Fall

TO-204AE

Kürzlich verkauft

LM1458M

LM1458M

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

PIC18F2550-I/SO

PIC18F2550-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 28SOIC

MM74HC138N

MM74HC138N

ON Semiconductor

IC DECODER 3-8LINE EXP 16-DIP

M2GL005-TQ144I

M2GL005-TQ144I

Microsemi

IC FPGA 84 I/O 144TQFP

218-4LPSTR

218-4LPSTR

CTS Electrocomponents

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

744272221

744272221

Wurth Electronics

CMC 220UH 2.2A 2LN 780 OHM SMD

SK520BTR

SK520BTR

SMC Diode Solutions

DIODE SCHOTTKY 200V 5A SMB

4608X-102-152LF

4608X-102-152LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 1.5K OHM 8SIP

LV8548MC-AH

LV8548MC-AH

ON Semiconductor

IC MOTOR DRIVER PAR MFP10S

7914J-1-032

7914J-1-032

Bourns

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.1A 16V

DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

SI8901D-A01-GS

SI8901D-A01-GS

Silicon Labs

IC ADC 10BIT SAR 16SOIC