Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SISA12ADN-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SISA12ADN-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.014
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 24 - Mär 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SISA12ADN-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSISA12ADN-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SISA12ADN-T1-GE3, SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 584,84 KB)
PDFSISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Cover
SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SISA12ADN-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SISA12ADN-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SISA12ADN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SISA12ADN-T1-GE3
  • SISA12ADN-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SISA12ADN-T1-GE3 Stock

  • SISA12ADN-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SISA12ADN-T1-GE3
  • SISA12ADN-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SISA12ADN-T1-GE3 Price
  • SISA12ADN-T1-GE3 Distributor

SISA12ADN-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Vgs (Max)+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2070pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerPAK® 1212-8
Paket / FallPowerPAK® 1212-8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDG313N_D87Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

950mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

750mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

FDP20N50

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3120pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

IRF6729MTR1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31A (Ta), 190A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6030pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ MX

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric MX

HUF75309T3ST

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

352pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223-4

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

DMN4034SSS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

453pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.56W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA

Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3

ADAU1761BCPZ

ADAU1761BCPZ

Analog Devices

IC SIGMADSP CODEC PLL 32LFCSP

954206AGLF

954206AGLF

IDT, Integrated Device Technology

IC TIMING CTRL HUB P4 56-TSSOP

AP2202K-3.3TRG1

AP2202K-3.3TRG1

Diodes Incorporated

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

ABM8-24.000MHZ-D2-T

ABM8-24.000MHZ-D2-T

Abracon

CRYSTAL 24.0000MHZ 18PF SMD

A42MX16-FPLG84

A42MX16-FPLG84

Microsemi

IC FPGA 72 I/O 84PLCC

LM1458M

LM1458M

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

MM74HC138N

MM74HC138N

ON Semiconductor

IC DECODER 3-8LINE EXP 16-DIP

STW20NK50Z

STW20NK50Z

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 500V 17A TO-247

MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR

MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64G MMC 100LBGA

S29AL016J70TFI020

S29AL016J70TFI020

Cypress Semiconductor

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

VESD05A1B-02V-G-08

VESD05A1B-02V-G-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 11V SOD523