SIRA10DP-T1-GE3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SIRA10DP-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIRA10DP-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.646 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 27 - Mai 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SIRA10DP-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | SIRA10DP-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIRA10DP-T1-GE3, SIRA10DP-T1-GE3 Datenblatt
(Total Pages: 13, Größe: 393,92 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SIRA10DP-T1-GE3 Datasheet
- where to find SIRA10DP-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SIRA10DP-T1-GE3
- SIRA10DP-T1-GE3 PDF Datasheet
- SIRA10DP-T1-GE3 Stock
- SIRA10DP-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SIRA10DP-T1-GE3
- SIRA10DP-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SIRA10DP-T1-GE3 Price
- SIRA10DP-T1-GE3 Distributor
SIRA10DP-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 60A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2425pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 5W (Ta), 40W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 427pF @ 15V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 710mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-WDFN (2x2) Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 745mOhm @ 3.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 84W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I-PAK Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-262 Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4414pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket U-DFN2523-6 Paket / Fall 6-PowerUDFN |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 8.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1462pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall 8-PowerWDFN |
