Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIHP35N60E-GE3
PNEDA Teilenummer SIHP35N60E-GE3
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 18.864
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SIHP35N60E-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIHP35N60E-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SIHP35N60E-GE3, SIHP35N60E-GE3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 149,72 KB)
PDFSIHP35N60E-GE3 Datenblatt Cover
SIHP35N60E-GE3 Datenblatt Seite 2 SIHP35N60E-GE3 Datenblatt Seite 3 SIHP35N60E-GE3 Datenblatt Seite 4 SIHP35N60E-GE3 Datenblatt Seite 5 SIHP35N60E-GE3 Datenblatt Seite 6 SIHP35N60E-GE3 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SIHP35N60E-GE3 Datasheet
  • where to find SIHP35N60E-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIHP35N60E-GE3
  • SIHP35N60E-GE3 PDF Datasheet
  • SIHP35N60E-GE3 Stock

  • SIHP35N60E-GE3 Pinout
  • Datasheet SIHP35N60E-GE3
  • SIHP35N60E-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIHP35N60E-GE3 Price
  • SIHP35N60E-GE3 Distributor

SIHP35N60E-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieE
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs94mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs132nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2760pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)250W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPD600N25N3GBTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFU210PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251AA

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

PHB20NQ20T,118

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2470pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMG302PU-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

Vgs (Max)

8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

27.2pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

320mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SIHFR9310TR-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

Kürzlich verkauft

VLMS1300-GS08

VLMS1300-GS08

Vishay Semiconductor Opto Division

LED RED 0603 SMD

MAX6369KA-T

MAX6369KA-T

Maxim Integrated

IC WATCHDOG TIMER SOT23-8

MAX15006AATT/V+T

MAX15006AATT/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR 3.3V 50MA 6TDFN

PSMN4R5-30YLC,115

PSMN4R5-30YLC,115

Nexperia

MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK

ISL6124IRZA-T

ISL6124IRZA-T

Renesas Electronics America Inc.

IC POWER SUPPLY SEQUENCER 24QFN

74F00SC

74F00SC

ON Semiconductor

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

NUC2401MNTAG

NUC2401MNTAG

ON Semiconductor

CMC 100MA 2LN 90 OHM SMD

DEA202450BT-1294C1-H

DEA202450BT-1294C1-H

TDK

FILTER BANDPASS WLAN&BLUETOOTH

4608X-102-682LF

4608X-102-682LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 6.8K OHM 8SIP

EP4CE40F23I7N

EP4CE40F23I7N

Intel

IC FPGA 328 I/O 484FBGA

MMSZ4699T1G

MMSZ4699T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 12V 500MW SOD123

7447709220

7447709220

Wurth Electronics

FIXED IND 22UH 5.3A 28 MOHM SMD