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SIDC23D60E6YX1SA1

SIDC23D60E6YX1SA1

Nur als Referenz

Teilenummer SIDC23D60E6YX1SA1
PNEDA Teilenummer SIDC23D60E6YX1SA1
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.394
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 24 - Jan 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SIDC23D60E6YX1SA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIDC23D60E6YX1SA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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SIDC23D60E6YX1SA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)50A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 50A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr27µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketSawn on foil
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

15V

Current - Average Rectified (Io)

30mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 30mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 1V

Kapazität @ Vr, F.

1pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-882

Lieferantengerätepaket

DFN1006-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

GP10G-132M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

IDL10G65C5XUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

10A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

180µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

300pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-PowerTSFN

Lieferantengerätepaket

PG-VSON-4

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

R9S02630XX

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2600V

Current - Average Rectified (Io)

3935A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

75mA @ 2600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200 Variation

Lieferantengerätepaket

Hockey Puck

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

ACDBA1100LR-HF

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

120pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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