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SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIB410DK-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIB410DK-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Hersteller Vishay Siliconix
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SIB410DK-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIB410DK-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SIB410DK-T1-GE3, SIB410DK-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 195,7 KB)
PDFSIB410DK-T1-GE3 Datenblatt Cover
SIB410DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SIB410DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SIB410DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SIB410DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SIB410DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SIB410DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SIB410DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SIB410DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 9

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SIB410DK-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 8V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds560pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerPAK® SC-75-6L Single
Paket / FallPowerPAK® SC-75-6L

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SI5418DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® ChipFet Single

Paket / Fall

PowerPAK® ChipFET™ Single

BUK7M21-40EX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

33A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

593pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

44W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK33

Paket / Fall

SOT-1210, 8-LFPAK33

STL180N6F7

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ F7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A (Ta), 120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

79.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4825pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.8W (Ta), 166W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (5x6)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

MTD6P10E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

660mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.75W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTMS4705NR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1078pF @ 24V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

850mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

DLW5BTN501SQ2L

DLW5BTN501SQ2L

Murata

CMC 4A 2LN 500 OHM SMD

MC7805CDTRKG

MC7805CDTRKG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 5V 1A DPAK

MAX9910EXK+T

MAX9910EXK+T

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-5

CS5173EDR8G

CS5173EDR8G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 1.5A 8SOIC

MAX15021ATI+T

MAX15021ATI+T

Maxim Integrated

IC REG BUCK ADJ 2A/4A DL 28TQFN

74HC4051D

74HC4051D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC MUX 8:1 4 OHM 16SOIC

CDBA540-HF

CDBA540-HF

Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AC

PIC32MX795F512L-80I/PT

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Microchip Technology

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP

DLW5BTN101SQ2L

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Murata

CMC 6A 2LN 100 OHM SMD

TAJD107K020RNJ

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CAP TANT 100UF 10% 20V 2917

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EPC2032

EPC

GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE

UES1302

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